台积电2nm工艺将继续涨价！引入新技术 工艺实现突破

　　根据报道，台积台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，艺将引入艺实将在生产中首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。继续草本精华

　　此外，N2工艺还结合了NanoFlex技术，术工为芯片设计人员提供了前所未有的台积标准元件灵活性。相比于目前的艺将引入艺实N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的继续性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。新技现突草本精华更为令人在意的术工是，晶体管密度将提升15%，台积这标志着台积电在半导体技术领域的艺将引入艺实又一次飞跃。

　　报道中称，继续台积电在2nm工艺将继续涨价，新技现突每片晶圆超3万美元、术工达4/5nm两倍。